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상온 초전도체 ​전문 플랫폼 기업

세계 최초 상온 초전도 물질 개발 및 초전도체 개발 · 제조 · 양산 

2005~2016

​기반기

2017~2020

​탐색기

2020~2023

도약기

2024~현재

​확장기

​향후 계획

전개기

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삼성전자 공정기술 및 장비개발 운용

세계최초 450mm 웨이퍼 개발

삼성휴대폰 친환경 케이블 원료개발

삼성전자 노광장비 refurbish 독점제작

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전고체전지 음극재 개발

상온초전도체 연구착수

상온초전도 물질군 확보

레이저증착장비 개발착수

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고온초전도 12개 물질군 개발

고온초전도체 4개 물질 실험

고순도단일상 제조공법 원천특허

CTLA 고밀도 대면적 박막증착 특허

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Pgc 이론 모델링 원천특허 출원

Sec 이론 모델링 원천특허 출원

이론기반 초전도체 설계 특허 출원

초전도 사업화 플렛품 연구개발

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SEC 논문 네이처 투고 계획

이론 기반 초전도체 물질 상용화

글로벌 네트웍 확대

초전도 사업화 플렛폼 완성

반도체 장비제조 기반기술축적

전고체전지 음극재 개발

고온초전도 12개 물질군 확보

고온초전도 sec 이론 독자개발

상온초전도체 개발 및 상용화

(주)​현성티엔씨는 초전도체 개발, 제조, 양산 장비를 개발하는 기술기업입니다. 세계최초 상온 초전도 물질을 개발하여 원천 특허 등록을 완료했으며, 초전도 플랫폼 기업으로 거듭나기 위해 노력하고 있습니다. 2005년 반도체 장비 전문 기업으로 출발, 전고체 전지용 양극화 물질 개발에 집중하여, 상온 초전도체 연구로 영역을 확장 했습니다. 2017년 상온/상압 환경에서 초전도 가능성을 지닌 4종(Cd, Pb, In, TBCO 계열)을 개발, 2022년엔 고순도 샘플을 합성, PXRD 및 SQUID 자기 특성 시험을 수행, 실제 초전도 물성을 실험에서 성공적으로 확인 했습니다.

이런 실험 결과를 기반으로 (주)현성티엔씨는 세계 최초로 고온 및 상온 초전도체의 생성 메카니즘을 설명하는 이론인 Superconducting Electron Crystal (SEC) 이론' 을 정립 해냈습니다. 이후, 2025년 원천 특허로 출원까지 성공해 냈습니다. SEC 이론은 기존 BCS 이론으로 설명이 어려웠던, 고온 초전도체 현상을 수식으로 해석해 다양한 초전도체 설계 및 상용화를 위한 핵심 플랫폼으로서 역할을 기대하고 있습니다.

(주)현성티엔씨

Why us?

세계 최초 상온 초전도 기술을 기반,

이론과 생산을 갖춘 플랫폼으로 미래를 혁신합니다

 Theories RTS HTS

비전과 지향점

상온 초전도체 기술로 에너지 효율과 전력 손실 방자, 데이터 전송의 한계를 극복하며, 산업 혁신과 기술 표준 수립

Experiment RTS

미래 전략

AI 반도체, 전기차 충전, ESS, 항공업, 우주산업 등 다양한 산업에 솔루션을 적용, 신시장 경쟁력 확보

Thin film

기술 개발 및 생산

SEC 이론의 검증을 위한 공동 연구, CTLA 증착 장비 고도화 병행, 고순도 합성 기술로 양산 체계 확보

Circular Target Laser Ablation

특허 전략 및 응용

20건 이상 특허 포트폴리오 구축, 기술 보호망을 강화하고, AI·전력망·국방 등 고부가 산업으로 초전도체 응용

(주)현성티엔씨

특허 및 연구 개발

IP(독자적 지적재산권)를 ​체계적으로 확보하고 있습니다

기술 독립을 위한 핵심 특허 및 이론 출원 현황

  • 고체화학반응을 통한 상온 초전도체성을 나타내는 다성분계 금속 산화물 제조 방법        원천 특허 등록 완료 (특허번호:제10-2359995호, 2022년)
     
  • 순환 타겟 레이저 어블레이션을 이용한 상온 초전도성 금속 산화물 증착법 및 이 방법으로 제조된 금속산화물 박막 특허 등록 완료     (특허번호: 제10-2523480호, 2023년)
     
  • 고온 초전도체에서 초전도 상태의 모델링 방법 특허 출원 (출원번호: 제10-2025-0062522호, 2025년) - PGC 이론
    기존 BCS 이론이 설명하지 못하는 고온 초전도체의 메커니즘 보완 이론

     
  • 초전도 전자결정 (SEC: Superconducting Electron Crystal) 을 기반으로 한 고온 초전도체 모델링 방법 특허 출원 (출원번호: 제10-2025-0062523호 2025년)                   국제특허 출원번호 (PCT/KR2025/095421, 2025.06.16)                                                                         
  • 고온 및 상온 초전도체 설계 방법 및 이 방법으로 제조된 조성물                                    (특허 출원 번호:제10-2025-0068787호 2025년)                                                        
  • 상온 초전도체 및 이의 제조 방법 (특허 출원번호: 제10-2025-0068788호 2025년)                                                      
  • SEC 이론 복합 특허 출원 (2025 예정)                                                                                
  • 초전도 결정론에 의한 Bi계 초전도체 해석 및 고온 초전도체 설계 (2025 예정)                                       

국내외 대학, 연구기관 및 기업체 공동 개발

  • 연구개발 부분에서는 국내외 대학, 연구소 및 미국 BUSCH 등 글로벌                             기업들과 협력
     
  • 상온 초전도체 신규 조성 탐식, CTLA 장비 고도화, 양산화 공정 최적화
    프로젝트를 수행하고 있습니다.

     
  • ​(주)현성티엔씨는 기술 개발과 동시에 특허 포트폴리오를 강화함으로써,
    향후 글로벌 시장 진입 시 회피 불가능한 기술 장벽 (Freedom to Operate)을
    구축하고 있습니다.
비즈니스 핸드 셰이크

(주)현성티엔씨

​주요 경영진

세계최초 상온 초전도 이론과 생산 기술을

모두 갖춘 플랫폼으로, 미래를 혁신합니다

남성 서명

(주)현성티엔씨

​자문단

(주)현성티엔씨의 성장을 함께해온 자문단은 각분야의
풍부한 경험과 통찰력을 지닌, 최고의 전문가들 입니다

김영미 박사

​기술 자문

연세대학교  무기화학  학사.석사

미국 Texas A&M Univ 무기화학 박사

연세대학교 자연과학연구소 전문 연구원

이화여자대학교 분자 생명과학부 박사후 연구원

이화여자대학교 나노과학과 나노바이오기술연구소, 나노바이오에너지소재 센터  연구교수

한정호 대표

투자 금융 자문

경희대학교 부동산 금융 석사

STI 기업 구조조정 전문회사

현 (주) 대성 자산운용 대표

​투자 금융, M&A, IPO 자문

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