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고온 및 상온 초전도체 설계 방법 특허 출원 완료 (출원번호 제10-2025-0068787)

최종 수정일: 6월 18일

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현성티엔씨는 2025년 5월 27일, 고온 및 상온 초전도체의 설계 방법 및 해당 방법으로 제조된 조성물에 관한 특허(출원번호: 10-2025-0068787)를 출원하였습니다.

본 특허는 당사가 독자적으로 제안한 초전도 전자 결정(Superconducting Electron Crystal, SEC) 이론을 바탕으로, 기존 BCS 이론이 설명하지 못했던 고온 및 상온 초전도 현상의 구조적 설계 가능성과 조성 예측 방법론을 정립합니다.

특허의 핵심은 초전도체 후보 물질의 전이온도(Tc)를 사전 예측하고 실험적으로 검증하는 설계 알고리즘으로, 전자밀도(n), 포논 결합 상수(λ), 격자상수(a)를 변수로 한 몬테카를로 시뮬레이션을 통해 Tc를 계산합니다. 이어서 PXRD를 이용한 단일상 분석, 자기모멘트 측정 등을 통해 실온 근처에서의 초전도 전이 및 안정성까지 종합적으로 검증합니다.

설계된 조성물은 Bi-2212, YBCO 등 고온 초전도체뿐 아니라 Cd, In, Bi 기반의 다성분계 조성도 포함하며, 37℃에서도 초전도 특성을 보일 수 있는 구조적 가능성을 제시합니다.

이는 상온 초전도체 실현 가능성에 한 걸음 다가서는 중요한 지점으로, 당사의 기술 경쟁력을 강화하는 핵심 IP로 작용할 것입니다.

추가 정보나 문의 사항은 현성티엔씨 IR 팀(info@hstnc.com)으로 연락 주시기 바랍니다.
 
 
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