이 특허는 CTLA(Circular Target Laser Ablation) 기술에 기반한 초전도체 박막 증착기술이며 기존의 PLD 및 Sputtering 방식과 전혀다른 혁신적 초전도 박막 증착 기술입니다
기존 증착기술은 이미 합성된 타겟을 이용해 기판(Substrate) 에 증착하는 방식으로, 공전 전 단계에서 소재를 먼저 제조해야 하며 조성 제어에 한계가 있습니다.
반면, CTLA는 원소 단위의 금속 타겟을 원형 배열로 배치하고, 각 원소 특성에 맞게 프로그램된 레이저 파라미터(출력, 펄스, 파장 등)를 이용해 동시 조사함으로써, 초전도체 금속 산화물을 실시간 합성하고 기판에 직접 증착합니다.
이로 인해 공정 효율이 높고, 조성 정밀도, 박막 균일도, 반복 재현성에서 기존 방식 대비 탁원한 우위를 가지는 장치입니다. CLTA는 상온 초전도체 구현을 위한 핵심 제조 플랫폼 기술로 기대하고 있습니다.
Hyunsung TNC’s Circular Target Laser Ablation (CTLA) technology is an innovative deposition method that fundamentally differs from conventional techniques such as PLD (Pulsed Laser Deposition) and sputtering.Traditional approaches rely on pre-synthesized compound targets that are deposited onto a substrate, making material synthesis and film formation two separate steps with limited control over fine composition tuning.
In contrast, CTLA arranges individual elemental targets in a circular configuration, and utilizes laser beams that are precisely programmed and tuned for each element’s specific characteristics—such as wavelength, pulse duration, and energy.This allows the system to synthesize the superconducting oxide compound in real time and deposit it directly onto the substrate in a single-step process.
The result is a dramatic improvement in stoichiometric accuracy, film uniformity, and process reproducibility, positioning CTLA as a next-generation manufacturing platform for room-temperature superconducting materials.
