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(주)현성티엔씨
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전고체전지 양극활물질 및 상온초전도성 물질 4종 개발
현성티엔씨는 전고체전지용 양극활물질을 개발하던 중, 상온초전도성을 갖는 새로운 물질 4종을 개발했다.

(주)현성티엔씨 세계최초 상온·상압 초전도물질 발견
현성티엔씨가 세계 최초 상온·상압 초전도물질을 발견했다는 소식이 전해진 가운데

현성티엔씨, 37°C 에서 초전도 전이 현상 확인
소재 연구 기업 '현성티엔씨(HYUNSUNGTNC)'가 37°C에서 초전도 전이 현상을 확인했다고 발표했다.

SEC Theory Patent Filed ( No 10-2025-0062523)
현성티엔씨는 고온 초전도체의 복합적인 양자 현상을 설명할 수 있는 새로운 이론 모델인 SEC 이론 (Superconducting Electron Crystal Theory)**에 대해 특허 출원을 완료하였습니다.
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MEL 이론 (초전도체 생성 메카니즘 설명 이론) 이란 ?
(출원번호 10-2025-0126558) ㈜현성티엔씨는 기존 초전도 이론의 한계를 넘어서는 새로운 패러다임, SEC 이론을 한층 업그레이드한 MEL (Modulated Electron Lattice, 변조 전자 격자) 이론을 개발하고 이를 고도화 하기 위한 연구에 박차를 가하고 있습니다. MEL 이론은 전자들이 물질 내부에서 단순히 흐르는 것이 아니라,전자 밀도가 공간적으로 규칙적인 리듬을 만들며 움직이는 현상을 기반으로 합니다. 이 리듬은 격자(원자 배열)의 진동과 결맞게(coherently) 움직이며,이를 통해 전자들이 서로 간섭 없이 조화를 이루는 상태, 즉 저항이 0인 초전도 상태가 형성됩니다.이 과정을 결맞음 변조 결합(Modulated Coherent Coupling) 이라고 부릅니다. 기존의 BCS 이론은 두 전자가 쿠퍼쌍(Cooper pair)을 이루어 초전도를 설명했지만, 이 메커니즘은 절대온도 40K 이하의 저온 영역에서만 작동
11월 6일


SEC 이론 국제 특허 출원 PCT/KR2025/095421
PCT 국제특허출원: PCT/KR2025/095421 (출원일: 2025.06.16) 발명의 명칭: 초전도 전자 결정을 기반으로 한 고온 초전도체 모델링 방법 (High Temperature Superconductor Modelling Method Based on Superconducting Electronic Crystals) 본 발명은 기존 BCS 이론이 설명되지 않던 고온 초전도 생성 메커니즘 설명을 위해 당사가 초전도 전자결정(SEC) 개념을 도입하여 개발한 독자 이론입니다. 전자결정(SEC) 이론은 전자밀도의 주기적 배열로 포논과의 상호 작용을 통해 쿠퍼쌍을 형성하여, 초전도 특성을 유도한다는 이론입니다. SEC 이론은 고온 초전도체의 전이온도(Tc) 예측 가능성을 세계 최초로 입증하였으며, 고온에서의 초전도 특성을 수학 모델(TDGL 확장), 나노 분석(STM/STS), 시뮬레이션을 통해 예측할 수 있으며, 초전도체의 조성 자체를 설계하
6월 19일


고온 및 상온 초전도체 설계 방법 특허 출원 완료 (출원번호 제10-2025-0068787)
현성티엔씨는 2025년 5월 27일, 고온 및 상온 초전도체의 설계 방법 및 해당 방법으로 제조된 조성물에 관한 특허(출원번호: 10-2025-0068787)를 출원하였습니다. 본 특허는 당사가 독자적으로 제안한 초전도 전자 결정(Superconducting Electron Crystal, SEC) 이론을 바탕으로, 기존 BCS 이론이 설명하지 못했던 고온 및 상온 초전도 현상의 구조적 설계 가능성과 조성 예측 방법론을 정립합니다. 특허의 핵심은 초전도체 후보 물질의 전이온도(Tc)를 사전 예측하고 실험적으로 검증하는 설계 알고리즘으로, 전자밀도(n), 포논 결합 상수(λ), 격자상수(a)를 변수로 한 몬테카를로 시뮬레이션을 통해 Tc를 계산합니다. 이어서 PXRD를 이용한 단일상 분석, 자기모멘트 측정 등을 통해 실온 근처에서의 초전도 전이 및 안정성까지 종합적으로 검증합니다. 설계된 조성물은 Bi-2212, YBCO 등 고온 초전도체뿐 아니라
5월 28일

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주요 공식 자료를 열람 하실수 있습니다
(주)현성티엔씨 기술은 단순한 주장에 머물지 않습니다. 이론부터 실험 결과, 특허까지 투명하게 공개하고 있습니다.
출원 및 등록된 초전도체 관련 특허, 공동 연구 논문, 기술 보고서 등의 공식 자료를 한눈에 열람 할 수 있도록 구성된 공간입니다.
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특허증 CTLA 증착 공정 (특허번호 제 10-2523480 호)
(본 이미지는 독자의 이해를 돕기 위한 이미지 입니다) 이 특허는 CTLA(Circular Target Laser Ablation) 기술에 기반한 초전도체 박막 증착기술이며 기존의 PLD 및 Sputtering 방식과 전혀다른 혁신적 초전도 박막...
3월 1일


특허증 상온 초전도체 물질 및 제조 방법 (제 10-2359995 호)
(본 이미지는 실제 실험 결과가 아니며 독자의 이해를 돕기 위한 가상 이미지 입니다) 이 특허는 상온 또는 상온 근처에서 초전도성을 나타내는 신규 초전도 물질과, 그 합성 및 안정화 방법에 대해 공개하고 있습니다. 극저온 냉각이 필요 없는 초전도...
3월 1일
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