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(주)현성티엔씨
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전고체전지 양극활물질 및 상온초전도성 물질 4종 개발
현성티엔씨는 전고체전지용 양극활물질을 개발하던 중, 상온초전도성을 갖는 새로운 물질 4종을 개발했다.

(주)현성티엔씨 세계최초 상온·상압 초전도물질 발견
현성티엔씨가 세계 최초 상온·상압 초전도물질을 발견했다는 소식이 전해진 가운데

현성티엔씨, 37°C 에서 초전도 전이 현상 확인
소재 연구 기업 '현성티엔씨(HYUNSUNGTNC)'가 37°C에서 초전도 전이 현상을 확인했다고 발표했다.

SEC Theory Patent Filed ( No 10-2025-0062523)
현성티엔씨는 고온 초전도체의 복합적인 양자 현상을 설명할 수 있는 새로운 이론 모델인 SEC 이론 (Superconducting Electron Crystal Theory)**에 대해 특허 출원을 완료하였습니다.
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“AI로 초전도체를 설계하는 시대 - SuperMatics 특허 공식 출원”, 초전도 산업의 AlphaFold 탄생 !
㈜현성티엔씨는 자사의 AI 기반 초전도체 설계 플랫폼 SuperMatics™에 적용되는 핵심 기술인 「변조 전자 격자(MEL) 모델 기반 초전도체 조성 설계 알고리즘」을 2025년 12월 19일에 정식으로 특허 출원(출원번호: 10-2025-0204191) 하였습니다. 이번 특허 출원은 초전도체 개발 방식이 기존의 ‘수많은 실험을 통한 발견 중심’에서 “AI가 예측하고, 사람이 검증하는 설계 기반 방식”으로 전환되는 새로운 전환점을 의미합니다. 특허 기술의 주요 내용 SuperMatics에 적용된 이번 기술은 다음과 같은 특징을 가지고 있습니다: • MEL(Modulated Electronic Lattice) 이론 적용 초전도체 내부의 전자 변조 패턴을 정량화하여 초전도 발생 조건을 수학적·시뮬레이션 기반으로 예측하는 구조를 갖습니다. • 후보 물질 조성 자동 생성 및 평가 수십만~수백만 조성 조합을 AI가 자동 생성한 후, 조건에 맞는 후보군을
2025년 12월 19일


현성티엔씨 MEL 이론, 아카이브(arXiv) Preprint 게재 – 버클리 독립 연구팀 이론 정합성 검토 완료
현성티엔씨의 핵심 초전도 이론인 MEL(Modulated Electron Lattice) 이론이 국제 공개 학술 플랫폼 arXiv에 Preprint(실험 전 단계 사전 공개 논문) 으로 게재되었습니다. arXiv:2512.03368“Short-Range Modulated Electron Lattice and d-Wave Superconductivity in Cuprates:A Phenomenological Ginzburg–Landau Framework” 이번 논문은 MEL 이론을 학계에 최초로 공식 공개하는 단계이며,특히 공개 전에 UC Berkeley 독립 연구팀이 MEL 이론의 수학적·물리적 정합성을 검토하여 긍정적인 평가를 제공한 점이 핵심적인 의미를 갖습니다. 1. 버클리 연구팀의 독립 이론 검토 완료 버클리 팀은 MEL 이론의 핵심 요소를 검토하여 다음을 확인했습니다: MEL 메커니즘의 수식적 정합성 q* ≈ 0.3 r.l.u. 도출의
2025년 12월 4일


MEL 이론 기반 초전도체 모델링 국제특허(PCT) 출원 완료
㈜현성티엔씨는 자체 개발한 MEL(Modulated Electron Lattice, 변조 전자 격자) 이론을 기반으로 한 고온·상온 초전도체 조성 모델링 기술에 대해 국제특허(PCT/KR2025/019735) 출원을 완료했습니다. 이번 출원은 MEL 이론을 정식 기술 구조로 확립하고, 이를 활용한 초전도체 설계 방법을 국제적으로 보호하기 위한 조치입니다. MEL 이론은 전자밀도의 주기적 변조와 결맞음(coherence) 형성을 핵심 요소로 하여, 기존 이론으로 설명이 어려웠던 고온 초전도체의 특성을 새로운 방식으로 모델링하는 접근입니다. 특히 다음과 같은 기술적 내용을 포함합니다. 전자 밀도 변조(Modulated Electron Lattice)의 형성과 안정성 분석 격자 변조가 초전도 결맞음과 Tc 형성에 미치는 영향 모델링 특정 재료 조성에서 나타나는 초전도 강화 요인을 수학적으로 예측하는 방법 현재 현성티엔씨는 MEL 이론의 검증을 위해 미
2025년 11월 27일

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주요 공식 자료를 열람 하실수 있습니다
(주)현성티엔씨 기술은 단순한 주장에 머물지 않습니다. 이론부터 실험 결과, 특허까지 투명하게 공개하고 있습니다.
출원 및 등록된 초전도체 관련 특허, 공동 연구 논문, 기술 보고서 등의 공식 자료를 한눈에 열람 할 수 있도록 구성된 공간입니다.
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특허증 CTLA 증착 공정 (특허번호 제 10-2523480 호)
(본 이미지는 독자의 이해를 돕기 위한 이미지 입니다) 이 특허는 CTLA(Circular Target Laser Ablation) 기술에 기반한 초전도체 박막 증착기술이며 기존의 PLD 및 Sputtering 방식과 전혀다른 혁신적 초전도 박막...
2025년 3월 1일


특허증 상온 초전도체 물질 및 제조 방법 (제 10-2359995 호)
(본 이미지는 실제 실험 결과가 아니며 독자의 이해를 돕기 위한 가상 이미지 입니다) 이 특허는 상온 또는 상온 근처에서 초전도성을 나타내는 신규 초전도 물질과, 그 합성 및 안정화 방법에 대해 공개하고 있습니다. 극저온 냉각이 필요 없는 초전도...
2025년 3월 1일
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