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(주)현성티엔씨
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Development of four types of all-solid-state battery cathode materials and room-temperature superconducting materials
While developing cathode active materials for all-solid-state batteries, Hyunsung TNC has developed four new materials with room-temperature superconductivity.
Hyunsung TNC Co., Ltd. Discovery of the world's first room-temperature, normal-pressure superconducting material
As news spread that Hyunsung TNC had discovered the world's first room-temperature, normal-pressure superconducting material,
현성티엔씨, 37°C 에서 초전도 전이 현상 확인
Materials research company 'HYUNSUNGTNC' announced that it has confirmed the superconducting transition phenomenon at 37°C.
SEC Theory Patent Filed ( No 10-2025-0062523)
Hyunsung TNC has completed a patent application for the SEC (Superconducting Electron Crystal Theory)**, a new theoretical model that can explain the complex quantum phenomena of high-temperature superconductors.
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고온 및 상온 초전도체 설계 방법 특허 출원 완료 (출원번호 제10-2025-0068787)
현성티엔씨는 2025년 5월 27일, 고온 및 상온 초전도체의 설계 방법 및 해당 방법으로 제조된 조성물에 관한 특허(출원번호: 10-2025-0068787)를 출원하였습니다. 본 특허는 당사가 독자적으로 제안한 초전도 전자 결정(Superconducting Electron Crystal, SEC) 이론을 바탕으로, 기존 BCS 이론이 설명하지 못했던 고온 및 상온 초전도 현상의 구조적 설계 가능성과 조성 예측 방법론을 정립합니다. 특허의 핵심은 초전도체 후보 물질의 전이온도(Tc)를 사전 예측하고 실험적으로 검증하는 설계 알고리즘으로, 전자밀도(n), 포논 결합 상수(λ), 격자상수(a)를 변수로 한 몬테카를로 시뮬레이션을 통해 Tc를 계산합니다. 이어서 PXRD를 이용한 단일상 분석, 자기모멘트 측정 등을 통해 실온 근처에서의 초전도 전이 및 안정성까지 종합적으로 검증합니다. 설계된 조성물은 Bi-2212, YBCO 등 고온 초전도체뿐 아니라
2025년 5월 28일
SEC Theory Patent Filed ( No 10-2025-0062523)
현성티엔씨는 고온 초전도체의 복합적인 양자 현상을 설명할 수 있는 새로운 이론 모델인 SEC 이론 (Superconducting Electron Crystal Theory)**에 대해 특허 출원을 완료하였습니다. SEC 이론은 전자들이 자발적으로...
2025년 5월 15일
PGC Theory Patent Filed (No 10-2025-0062522)
현성티엔씨는 고온 초전도체의 생성 메커니즘을 설명하는 독자적인 이론 모델인 PGC(Phonon-Gauge Coupling) 이론에 대해 특허 출원을 완료하였습니다. 기존의 BCS 이론은 포논(격자 진동)을 통한 전자쌍 결합만을 설명할 수 있었던...
2025년 5월 15일
(주)현성티엔씨
자료실
주요 공식 자료를 열람 하실수 있습니다
(주)현성티엔씨 기술은 단순한 주장에 머물지 않습니다. 이론부터 실험 결과, 특허까지 투명하게 공개하고 있습니다.
출원 및 등록된 초전도체 관련 특허, 공동 연구 논문, 기술 보고서 등의 공식 자료를 한눈에 열람 할 수 있도록 구성된 공간입니다.
방문자는 각 항목을 클릭해 내용을 확인하고 PDF 다운로드 할 수 있으며, 기술 신뢰성과 검증 과정을 확인 하실 수 있습니다.
특허증 CTLA 증착 공정 (특허번호 제 10-2523480 호)
(본 이미지는 독자의 이해를 돕기 위한 이미지 입니다) 이 특허는 CTLA(Circular Target Laser Ablation) 기술에 기반한 초전도체 박막 증착기술이며 기존의 PLD 및 Sputtering 방식과 전혀다른 혁신적 초전도 박막...
2025년 3월 1일
특허증 상온 초전도체 물질 및 제조 방법 (제 10-2359995 호)
(본 이미지는 실제 실험 결과가 아니며 독자의 이해를 돕기 위한 가상 이미지 입니다) 이 특허는 상온 또는 상온 근처에서 초전도성을 나타내는 신규 초전도 물질과, 그 합성 및 안정화 방법에 대해 공개하고 있습니다. 극저온 냉각이 필요 없는 초전도...
2025년 3월 1일
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